近日，由新葡的京集团35222vip范吉阳教授与香港城市大学Paul K. Chu教授合著的英文学术专著《Silicon Carbide Nanostructures: Fabrication, Structure, and Properties, Second Edition》在国际权威学术出版社——德国Springer（施普林格）正式出版发行。这是国际上首部系统阐述碳化硅半导体及其纳尺度固体的学术专著。据出版社官方数据显示，该书第一版自出版以来“表现优异，位列施普林格全库被引排名前20%的图书” （It has performed well and is among the top 20 percent cited books in all of Springer’s collection）。因此，作者应出版社执行主编邀请，在第一版基础上进行了大幅扩展与深度更新（从330页增加到529页），使其更为全面，更能反映研究领域前沿。范吉阳教授课题组在碳化硅半导体量子点领域做了持续的探索研究，发现了诸如量子限制效应和表面态发光等有趣的性质。他负责撰写全书初稿，并与合著者一起校对了全文。
碳化硅纳米结构之所以成为全球物理界、材料界及工程界的研究热点，在于其兼具令人瞩目的基础科学内涵与工业应用潜力。本书深刻揭示了结构与性能之间的内在关联，突出了这类材料的独特性质：拥有上百种可发生相变转换的不同晶型，其表面结构极为复杂且易于重构，表面局域态发光甚至可覆盖几乎整个可见光谱范围，并具有优异的环境与生物相容性。这些特性使其在量子信息、纳电子学、光子学、电子场发射、压力与温度传感、生物医学等前沿领域展现出广阔的应用前景。
本书采用实验与计算模拟深度融合的独特视角，全面探讨了从零维量子点、一维纳米线和纳米管，到二维蜂窝状结构单层材料等一系列低维碳化硅纳米结构。内容系统梳理了过去几十年来块状碳化硅晶体在微结构、电子结构、声子结构及光学性质方面的关键进展，并在第二版中着重深化了对点缺陷与自旋动力学、掺杂与竞争性光发射机制，乃至宇宙中碳化硅微晶起源等前沿科学问题的探讨。
供稿：新葡的京集团35222vip
审核：苗霖