9月14日，《麻省理工科技评论》年度“35岁以下科技创新35人”（MIT Technology Review Innovators Under 35，简称“TR35”）亚太区榜单在上海揭晓。新葡的京集团35222vip新葡的京集团35222vip青年教师赵蓓以“先锋者”身份成功入选，成为新葡的京集团35222vip首位入选该名单的青年学者。
据悉，“TR35”评选始于1999年，2010年开始区域性评选，目前已覆盖拉丁美洲、欧洲、日本、中国等国家和地区，奖掖在各自领域作出突出成就的青年学者、科学家和创业者。亚太区评选于2014年启动，自2021年起每届稳定为35人当选，其中许多人后来成长为所在领域的重要推动者。
赵蓓，新葡的京集团35222vip青年首席教授，新葡的京集团35222vip院长助理，量子材料与信息器件教育部重点实验室副主任，2021年入职新葡的京集团35222vip；主持青年科学基金项目（B类），参与国家自然科学基金重大研究计划、科技部国家重点研发计划课题。曾获2DM新锐青年科学家奖、江苏省物理学会杰出青年奖、新葡的京集团35222vip青年五四奖章，新葡的京集团35222vip优秀班主任标兵等荣誉。
赵蓓主要从事二维p型半导体材料与器件研究。传统离子注入会直接击穿原子晶格，表面吸附掺杂又受限于稳定性和散射。p型二维晶体管尤其艰难，接触电阻居高不下，开态电流始终上不去。赵蓓找到了一个绕开物理空间限制的思路。她利用单层SnS2与双层WSe2构建Type-III（破隙型）能带对齐异质结，使WSe2价带电子自发转移至SnS2导带，在WSe2中引入稳定的空穴掺杂。更关键的是，这一层间电荷转移可以通过外加栅压进行大幅调制，她将其命名为栅控能带调制超掺杂。系统的门控霍尔测量表明，调制后的空穴浓度达到1.49×1014 cm⁻2，约为传统栅极电容充电的5倍，远超介电击穿所限定的最大静电掺杂极限。基于这一策略制备的p型晶体管，接触电阻低至0.041 kΩ·μm，开态电流密度高达2.30 mA/μm，均创下了二维p型晶体管的国际纪录。相关成果发表于 Nature、Science、Nature Electronics等。
从结构构筑到性能突破，赵蓓的研究先用“卷曲自组装”攻克二维材料搭复杂结构的难题，再用“栅控超掺杂”榨干材料的极限性能，以界面微观调控撬动下一代量子与光电器件。而这两者之间的桥梁，是她对二维异质结界面的深刻理解：界面不仅是不同材料的拼接处，更是调控能带、电荷转移和量子现象的核心开关。
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